收藏本站
Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFETs
Q3-Class
IXFT50N30Q3
IXFH50N30Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
= 300V
= 50A
≤ 80m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-268 (IXFT)
G
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
D (Tab)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
300
300
± 20
± 30
V
V
V
V
TO-247 (IXFH)
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
50
150
50
A
A
A
G
D
S
D (Tab)
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
T C = 25 ° C
1.5
50
690
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
-55 ... +150
° C
T JM
150
° C
Features
T stg
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Torque (TO-247)
TO-268
TO-247
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
4.0
6.0
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Low Intrinsic Gate Resistance
International Standard Packages
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
300
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5 V
± 100 nA
10 μ A
500 μ A
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
80 m Ω
Temperature and Lighting Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100336(05/11)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFT50N60P3 MOSFET N-CH 600V 50A TO268
IXFT52N30Q MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
IXFT52N50P2 MOSFET N-CH 500V 52A TO268
IXFT58N20Q MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
IXFT58N20 MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
IXFT69N30P MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
IXFT6N100Q MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
IXFT70N15 MOSFET N-CH 150V 70A TO-268
相关代理商/技术参数
IXFT50N50P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT50N60P3 功能描述:MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT52N30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268
IXFT52N30Q 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT52N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT58N20 功能描述:MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT58N20Q 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT60N20 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs